IPC022N03L3X1SA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPC022N03L3X1SA1
Numéro de produit DigiKey	IPC022N03L3X1SA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPC022N03L3X1SA1
Description	MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 1 A (Tj) Montage en surface Galette sur feuille
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	En vrac
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	1 A (Tj)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	50mohms à 2A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 250µA
Vgs (max.)	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	-
Température de fonctionnement	-
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	Galette sur feuille
Boîtier	MATRICE
Numéro de produit de base	IPC022N