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Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


Infineon Technologies
En stock: 15’834
Prix unitaire : Fr. 1.70000
Fiche technique

Similaire


Renesas Electronics Corporation
En stock: 5’000
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Fiche technique
PG-TO252-3-11
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IPD042P03L3GBTMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD042P03L3GBTMA1TR-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD042P03L3GBTMA1
Description
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal P 30 V 70 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Bande et bobine
Statut du composant
En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
4,2mohms à 70A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
175 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
12400 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3-11
Boîtier
Numéro de produit de base
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