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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPD180N10N3GBTMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD180N10N3GBTMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD180N10N3GBTMA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 43 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 33µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 50 V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Dissipation de puissance (max.) 71W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 33A, 10V |
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