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IPD30N06S223ATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD30N06S223ATMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD30N06S223ATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 55 V 30 A (Tc) 100W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V |
Fabricant | Vgs (max.) ±20V |
Série | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 901 pF @ 25 V |
Conditionnement Bande et bobine | Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc) |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de FET | Grade Automobile |
Technologies | Qualification AEC-Q101 |
Tension drain-source (Vdss) 55 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 23mohms à 21A, 10V | Numéro de produit de base |
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 50µA |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD30N06S223ATMA2 | Infineon Technologies | 1’941 | 448-IPD30N06S223ATMA2CT-ND | Fr. 1.46000 | Direct |
| IRFR4105TRPBF | Infineon Technologies | 8’505 | IRFR4105PBFCT-ND | Fr. 1.34000 | Similaire |
| NP90N055VUK-E1-AY | Renesas Electronics Corporation | 6’437 | 559-NP90N055VUK-E1-AYCT-ND | Fr. 2.36000 | Similaire |
| STD35NF06LT4 | STMicroelectronics | 42’602 | 497-7965-1-ND | Fr. 1.70000 | Similaire |
| TSM170N06CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 96’825 | TSM170N06CPROGCT-ND | Fr. 1.12000 | Similaire |
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