Name: IPD35N10S3L26ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND
Price: 1.99985 CHF
Availability: InStock

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IPD35N10S3L26ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPD35N10S3L26ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPD35N10S3L26ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD35N10S3L26ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD35N10S3L26ATMA2
Description	MOSFET_(75V 120V(
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35 A (Tc) 71W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD35N10S3L26ATMA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 39 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 71W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35 A (Tc)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 35A, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Vgs(th) (max.) à Id 2,4V à 39µA