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IPD50R650CEBTMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD50R650CEBTMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD50R650CEBTMA1 |
Description | MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 6,1 A (Tc) 47W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 150µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 342 pF @ 100 V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Dissipation de puissance (max.) 47W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 13V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 650mohms à 1,8A, 13V |
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Substituts (1)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STD10N60M2 | STMicroelectronics | 3’547 | 497-13937-1-ND | Fr. 1.39000 | Similaire |
En stock: 0
