Name: IPD60N10S4L12ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND
Price: 0.96209 CHF
Availability: InStock

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IPD60N10S4L12ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD60N10S4L12ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD60N10S4L12ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD60N10S4L12ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD60N10S4L12ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	9 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 60 A (Tc) 94W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-313
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD60N10S4L12ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	HEXFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	60 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12mohms à 60A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 46µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	3170 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	94W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-TO252-3-313
Boîtier	TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Numéro de produit de base	IPD60N10