Name: IPD60R1K5CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND
Price: 0.82156 CHF
Availability: InStock

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IPD60R1K5CEAUMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD60R1K5CEAUMA1TR-ND - Bande et bobine IPD60R1K5CEAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD60R1K5CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD60R1K5CEAUMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 5A TO252
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 5 A (Tc) 49W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD60R1K5CEAUMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 90µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9.4 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CE	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 200 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 49W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD60R
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 1,1A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
AOD7N65	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	7’818	785-1484-1-ND	Fr. 1.48000	Similaire
FCD850N80Z	onsemi	17’987	488-FCD850N80ZCT-ND	Fr. 2.78000	Similaire

En stock: 39’570

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Quantité

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Bande et bobine