Name: IMZA65R027M1HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Price: 11.22078 CHF
Availability: OutOfStock

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Fiche technique

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IMZA65R027M1HXKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IMZA65R027M1HXKSA1
Description	MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	23 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 59 A (Tc) 189W (Tc) Trou traversant PG-TO247-4-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IMZA65R027M1HXKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolSiC™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	59 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	18V
Rds On (max.) à Id, Vgs	34mohms à 38,3A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id	5,7V à 11mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	63 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2131 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	189W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO247-4-3
Boîtier	TO-247-4
Numéro de produit de base	IMZA65

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 10.38000	Fr. 10.38
30	Fr. 6.29400	Fr. 188.82
120	Fr. 5.39942	Fr. 647.93
510	Fr. 5.38029	Fr. 2’743.95

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.