Name: IPD60R950C6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD60R950C6ATMA1TR-ND
Price: 1.36206 CHF
Availability: InStock

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IPD60R950C6ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD60R950C6ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD60R950C6ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD60R950C6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD60R950C6ATMA1
Description	MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 4,4 A (Tc) 37W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD60R950C6ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 130µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C6	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 37W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,4 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD60R
Rds On (max.) à Id, Vgs 950mohms à 1,5A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
STD5NM60T4	STMicroelectronics	6’788	497-3163-1-ND	Fr. 2.51000	Direct

En stock: 3’984

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Bande et bobine