Name: IPD65R650CEAUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD65R650CEAUMA1TR-ND
Price: 1.24315 CHF
Availability: InStock

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IPD65R650CEAUMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD65R650CEAUMA1TR-ND - Bande et bobine IPD65R650CEAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD65R650CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD65R650CEAUMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 7 A (Tc) 86W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD65R650CEAUMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 210µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CE	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 86W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD65R650
Rds On (max.) à Id, Vgs 650mohms à 2,1A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (3)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FCD620N60ZF	onsemi	0	FCD620N60ZFCT-ND	Fr. 2.31000	Mise à niveau
FCD850N80Z	onsemi	17’987	488-FCD850N80ZCT-ND	Fr. 2.78000	Similaire
STD10LN80K5	STMicroelectronics	1’807	497-STD10LN80K5CT-ND	Fr. 3.03000	Similaire

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