Équivalent paramétrique
Similaire
Similaire
Similaire



IPD65R950CFDATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD65R950CFDATMA1-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD65R950CFDATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 200µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14.1 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 380 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 36,7W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 950mohms à 1,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD65R950CFDATMA2 | Infineon Technologies | 2’094 | 448-IPD65R950CFDATMA2CT-ND | Fr. 1.28000 | Équivalent paramétrique |
| STD6N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-13939-1-ND | Fr. 1.63000 | Similaire |
| STD7N65M2 | STMicroelectronics | 68 | 497-15050-1-ND | Fr. 1.65000 | Similaire |
| STD7NM80 | STMicroelectronics | 1’319 | 497-8807-1-ND | Fr. 3.77000 | Similaire |



