IPD65R950CFDATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:

Équivalent paramétrique


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Fiche technique
Canal N 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
Canal N 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
PG-TO-252-3

IPD65R950CFDATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPD65R950CFDATMA1-ND - Bande et bobine
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPD65R950CFDATMA1
Description
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 3,9 A (Tc) 36,7W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 200µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
14.1 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
380 pF @ 100 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
36,7W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Boîtier fournisseur
PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
950mohms à 1,5A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IPD65R950CFDATMA2Infineon Technologies2’094448-IPD65R950CFDATMA2CT-NDFr. 1.28000Équivalent paramétrique
STD6N60M2STMicroelectronics0497-13939-1-NDFr. 1.63000Similaire
STD7N65M2STMicroelectronics68497-15050-1-NDFr. 1.65000Similaire
STD7NM80STMicroelectronics1’319497-8807-1-NDFr. 3.77000Similaire
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.