Name: IPD70N03S4L04ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD70N03S4L04ATMA1TR-ND
Price: 1.65393 CHF
Availability: InStock

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IPD70N03S4L04ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD70N03S4L04ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD70N03S4L04ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD70N03S4L04ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD70N03S4L04ATMA1
Description	MOSFET N-CH 30V 70A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 70 A (Tc) 68W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD70N03S4L04ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±16V
Série OptiMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3300 pF @ 25 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 68W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 70 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 70A, 10V	Numéro de produit de base IPD70
Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 30µA

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
DMN3016LK3-13	Diodes Incorporated	13’238	DMN3016LK3-13DICT-ND	Fr. 0.70000	Similaire
TSM040N03CP ROG	Taiwan Semiconductor Corporation	4’700	TSM040N03CPROGCT-ND	Fr. 1.20000	Similaire

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