IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPD70R1K4CEAUMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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En stock: 7’535

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IPD70R1K4CEAUMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD70R1K4CEAUMA1TR-ND - Bande et bobine IPD70R1K4CEAUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD70R1K4CEAUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD70R1K4CEAUMA1
Description	MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 5,4 A (Tc) 53W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 130µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.5 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ CE	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 225 pF @ 100 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 53W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 700 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,4 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD70
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 1A, 10V

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

Substituts (2)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPD70R1K4P7SAUMA1	Infineon Technologies	7’535	IPD70R1K4P7SAUMA1CT-ND	Fr. 0.76000	Similaire
FCD850N80Z	onsemi	17’987	488-FCD850N80ZCT-ND	Fr. 2.78000	Similaire

Obsolète

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IPD70R1K4CEAUMA1