


IPD80R1K0CEATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD80R1K0CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R1K0CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPD80R1K0CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R1K0CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 5,7 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPD80R1K0CEATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 785 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 950mohms à 3,6A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NB900CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 1’975 | TSM60NB900CPROGCT-ND | Fr. 48.51000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.68000 | Fr. 1.68 |
| 10 | Fr. 1.07200 | Fr. 10.72 |
| 100 | Fr. 0.72420 | Fr. 72.42 |
| 500 | Fr. 0.57536 | Fr. 287.68 |
| 1’000 | Fr. 0.52749 | Fr. 527.49 |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2’500 | Fr. 0.47568 | Fr. 1’189.20 |
| 5’000 | Fr. 0.44367 | Fr. 2’218.35 |
| 7’500 | Fr. 0.42736 | Fr. 3’205.20 |
| 12’500 | Fr. 0.41316 | Fr. 5’164.50 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 1.68000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 1.81608 |








