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IPD80R1K4CEBTMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD80R1K4CEBTMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD80R1K4CEBTMA1 |
Description | MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 3,9 A (Tc) 63W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 240µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 570 pF @ 100 V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,4ohms à 2,3A, 10V |
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Substituts (2)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD80R1K4CEATMA1 | Infineon Technologies | 2’486 | IPD80R1K4CEATMA1CT-ND | Fr. 1.50000 | Direct |
| STD5N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-14982-1-ND | Fr. 1.40000 | Similaire |
En stock: 0
