Name: IPD80R3K3P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND
Price: 1.03776 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPD80R3K3P7ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPD80R3K3P7ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPD80R3K3P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD80R3K3P7ATMA1
Description	MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 1,9 A (Tc) 18W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD80R3K3P7ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 30µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 5.8 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ P7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 120 pF @ 500 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 18W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,9 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD80R3
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,3ohms à 590mA, 10V

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2’500

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande et bobine