Name: IPD90N06S407ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90N06S407ATMA2TR-ND
Price: 1.65393 CHF
Availability: InStock

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IPD90N06S407ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPD90N06S407ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPD90N06S407ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD90N06S407ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD90N06S407ATMA2
Description	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 90 A (Tc) 79W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3-11
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD90N06S407ATMA2 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 40µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 56 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 79W (Tc)
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 90 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3-11
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Rds On (max.) à Id, Vgs 6,9mohms à 90A, 10V	Numéro de produit de base IPD90

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Documents et supports

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Ressources supplémentaires

Substituts (1)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
TK6R7P06PL,RQ	Toshiba Semiconductor and Storage	21’256	TK6R7P06PLRQCT-ND	Fr. 1.43000	Similaire

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