Name: IPD90R1K2C3ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND
Price: 1.92418 CHF
Availability: InStock

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IPD90R1K2C3ATMA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPD90R1K2C3ATMA2TR-ND - Bande et bobine 448-IPD90R1K2C3ATMA2CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD90R1K2C3ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD90R1K2C3ATMA2
Description	MOSFET N-CH 900V 5.1A TO252-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 900 V 5,1 A (Tc) 83W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPD90R1K2C3ATMA2 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 310µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 28 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 710 pF @ 100 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 83W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 900 V	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 5,1 A (Tc)	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPD90
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,2ohms à 2,8A, 10V