Name: IPD95R450PFD7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPD95R450PFD7ATMA1TR-ND
Price: 3.01599 CHF
Availability: InStock

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IPD95R450PFD7ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPD95R450PFD7ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPD95R450PFD7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPD95R450PFD7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPD95R450PFD7ATMA1
Description	MOSFET N-CH 950V 13.3A TO252-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 950 V 13,3A (Tc) 104W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 450mohms à 7,2A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 360µA
Série CoolMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1230 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 104W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 950 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 13,3A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO252-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-252-3, DPAK (2 sorties + languette), SC-63