Name: IPDQ65R018CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND
Price: 12.03153 CHF
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPDQ65R018CM8XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPDQ65R018CM8XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPDQ65R018CM8XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPDQ65R018CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPDQ65R018CM8XTMA1
Description	IPDQ65R018CM8XTMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	34 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 127A (Tc) 625W (Tc) Montage en surface PG-HDSOP-22
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPDQ65R018CM8XTMA1 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 18mohms à 55,6A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,7V à 1,48mA
Série CoolMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 173 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8290 pF @ 400 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 625W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 127A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HDSOP-22
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Module 22-PowerBSOP