IPF015N10N5ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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Infineon Technologies

En stock: 20’785

Prix unitaire : Fr. 6.07000

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IPF015N10N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPF015N10N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPF015N10N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPF015N10N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPF015N10N5ATMA1
Description	TRENCH >=100V
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35A (Ta), 276A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface PG-TO263-7-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPF015N10N5ATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 279µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 210 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ 5	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 16000 pF @ 50 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-TO263-7-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Ta), 276A (Tc)	Boîtier TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPF015
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,53mohms à 100A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPB017N10N5ATMA1	Infineon Technologies	20’785	IPB017N10N5ATMA1CT-ND	Fr. 6.07000	Recommandation fabricant

Obsolète

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IPF015N10N5ATMA1