IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Matrices de FET, MOSFET

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPG20N04S408AATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N04S408AATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 20A 65W Montage en surface, joints de brasure visibles PG-TDSON-8-10
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 36nC à 10V
Fabricant Infineon Technologies	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2940pF à 25V
Série OptiMOS™	Puissance - Max. 65W
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Statut du composant Obsolète	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Configuration 2 canaux N (double)	Type de montage Montage en surface, joints de brasure visibles
Tension drain-source (Vdss) 40V	Boîtier 8-PowerVDFN
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A	Boîtier fournisseur PG-TDSON-8-10
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,6mohms à 17A, 10V	Numéro de produit de base IPG20N
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 30µA

Signaler une erreur dans les informations sur le produit

Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 2’009

Vérifier les stocks entrants supplémentaires

Ce produit n'est plus fabriqué et ne sera plus stocké une fois le stock épuisé.

Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT)