IPG20N04S408AATMA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

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IPG20N04S408AATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPG20N04S408AATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N04S408AATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N04S408AATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 40V 20A 65W Montage en surface, joints de brasure visibles PG-TDSON-8-10
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Obsolète
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	40V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20A
Rds On (max.) à Id, Vgs	7,6mohms à 17A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 30µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	36nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2940pF à 25V
Puissance - Max.	65W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface, joints de brasure visibles
Boîtier	8-PowerVDFN
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-10
Numéro de produit de base	IPG20N