Name: IPG20N10S4L22ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND
Price: 2.02147 CHF
Availability: InStock

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IPG20N10S4L22ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPG20N10S4L22ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPG20N10S4L22ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPG20N10S4L22ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPG20N10S4L22ATMA1
Description	MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	12 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 100V 20A 60W Montage en surface PG-TDSON-8-4
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPG20N10S4L22ATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Configuration	2 canaux N (double)
Fonction FET	Porte de niveau logique
Tension drain-source (Vdss)	100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	20A
Rds On (max.) à Id, Vgs	22mohms à 17A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,1V à 25µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	27nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1755pF à 25V
Puissance - Max.	60W
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q101
Type de montage	Montage en surface
Boîtier	8-PowerVDFN
Boîtier fournisseur	PG-TDSON-8-4
Numéro de produit de base	IPG20N