



IPI60R125CPXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPI60R125CPXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPI60R125CPXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 25A TO262-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 25 A (Tc) 208W (Tc) Trou traversant PG-TO262-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPI60R125CPXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1,1mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO262-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 16A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STI33N60M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-15016-5-ND | Fr. 1.06995 | Similaire |
| XP60SL115DR | YAGEO XSEMI | 988 | 5048-XP60SL115DR-ND | Fr. 3.47000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.95000 | Fr. 4.95 |
| 50 | Fr. 2.61240 | Fr. 130.62 |
| 100 | Fr. 2.38670 | Fr. 238.67 |
| 500 | Fr. 1.99132 | Fr. 995.66 |
| 1’000 | Fr. 1.86442 | Fr. 1’864.42 |
| 2’000 | Fr. 1.79647 | Fr. 3’592.94 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 4.95000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 5.35095 |









