Name: IPL65R195C7AUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPL65R195C7AUMA1TR-ND
Price: 3.27543 CHF
Availability: InStock

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IPL65R195C7AUMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPL65R195C7AUMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPL65R195C7AUMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPL65R195C7AUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPL65R195C7AUMA1
Description	MOSFET N-CH 650V 12A 4VSON
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	48 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 12 A (Tc) 75W (Tc) Montage en surface PG-VSON-4
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 290µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1150 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 75W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-VSON-4
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)	Boîtier 4-PowerTSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPL65R
Rds On (max.) à Id, Vgs 195mohms à 2,9 A, 10V