
IPN50R1K4CEATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPN50R1K4CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN50R1K4CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN50R1K4CEATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPN50R1K4CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 4,8 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223-3 |
cms-datasheet | cms-datasheet |
Modèles EDA/CAO | IPN50R1K4CEATMA1 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 500 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 13V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 1,4ohms à 900mA, 13V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 70µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 8.2 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 178 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-SOT223-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Quantité | cms-unit-price | Prix total |
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1 | Fr. 0.27000 | Fr. 0.27 |
10 | Fr. 0.20000 | Fr. 2.00 |
100 | Fr. 0.15910 | Fr. 15.91 |
Quantité | cms-unit-price | Prix total |
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3’000 | Fr. 0.11914 | Fr. 357.42 |
6’000 | Fr. 0.11832 | Fr. 709.92 |
9’000 | Fr. 0.11750 | Fr. 1’057.50 |
15’000 | Fr. 0.11629 | Fr. 1’744.35 |
21’000 | Fr. 0.11588 | Fr. 2’433.48 |
Prix unitaire sans TVA: | Fr. 0.27000 |
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Prix unitaire avec TVA: | Fr. 0.29187 |