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IPN50R3K0CEATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
Substituts disponibles:
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPN50R3K0CEATMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPN50R3K0CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN50R3K0CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPN50R3K0CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 500V 2.6A SOT223 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 2,6 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPN50R3K0CEATMA1 Modèles |
Attributs du produit
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) | |
Statut du composant | Obsolète | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 500 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 13V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 3ohms à 400mA, 13V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 3,5V à 30µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 4.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 84 pF @ 100 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 5W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PG-SOT223-3 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
Obsolète
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Suisse