Canal N 500 V 6,6 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPN50R950CEATMA1

Numéro de produit DigiKey
IPN50R950CEATMA1TR-ND - Bande et bobine
IPN50R950CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPN50R950CEATMA1
Description
MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 6,6 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPN50R950CEATMA1 Modèles
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
3,5V à 100µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
10.5 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±20V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
231 pF @ 100 V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
5W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Boîtier fournisseur
PG-SOT223
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
13V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
950mohms à 1,2A, 13V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué.