
IPN50R950CEATMA1 | |
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Numéro de produit DigiKey | IPN50R950CEATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN50R950CEATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPN50R950CEATMA1 |
Description | MOSFET N-CH 500V 6.6A SOT223 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 6,6 A (Tc) 5W (Tc) Montage en surface PG-SOT223 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPN50R950CEATMA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 100µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 231 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 5W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Boîtier fournisseur PG-SOT223 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 13V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 950mohms à 1,2A, 13V |








