IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPN80R750P7ATMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

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Prix unitaire : Fr. 2.10000

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IPN80R750P7ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IPN80R750P7ATMA1TR-ND - Bande et bobine IPN80R750P7ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IPN80R750P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPN80R750P7ATMA1
Description	MOSFET N-CH 800V 7A SOT223
Référence client
Description détaillée	Canal N 800 V 7 A (Tc) 7,2W (Tc) Montage en surface PG-SOT223
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPN80R750P7ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 140µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 17 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ P7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 460 pF @ 500 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 7,2W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 800 V	Boîtier fournisseur PG-SOT223
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7 A (Tc)	Boîtier TO-261-4, TO-261AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPN80R750
Rds On (max.) à Id, Vgs 750mohms à 2,7A, 10V