IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

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Canal N 200 V 84 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3

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IPP120N20NFDAKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP120N20NFDAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP120N20NFDAKSA1
Description	MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 84 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP120N20NFDAKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 270µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6650 pF @ 100 V
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur PG-TO220-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 84 A (Tc)	Boîtier TO-220-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPP120
Rds On (max.) à Id, Vgs 12mohms à 84A, 10V

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Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPP110N20N3GXKSA1	Infineon Technologies	13’876	448-IPP110N20N3GXKSA1-ND	Fr. 4.10000	Similaire
IXFP90N20X3	IXYS	0	IXFP90N20X3-ND	Fr. 8.07000	Similaire

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