IPP120N20NFDAKSA1 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPP120N20NFDAKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPP120N20NFDAKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP120N20NFDAKSA1
Description	MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 84 A (Tc) 300W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP120N20NFDAKSA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Conditionnement	Tube
Statut du composant	En fin de cycle chez Digi-Key
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	84 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	12mohms à 84A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 270µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	87 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	6650 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP120

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En stock: 53

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.06000	Fr. 4.06
50	Fr. 1.69320	Fr. 84.66

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.