IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies | Produits semi-conducteurs discrets

IPP120P04P4L03AKSA2 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Prix unitaire : Fr. 2.10000

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IPP120P04P4L03AKSA2
Numéro de produit DigiKey	448-IPP120P04P4L03AKSA2-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPP120P04P4L03AKSA2
Description	MOSFET P-CH 40V 120A TO220-3
Référence client
Description détaillée	Canal P 40 V 120 A (Tc) 136W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPP120P04P4L03AKSA2 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™ P2
Conditionnement	Tube
Statut du composant	Obsolète
Type de FET	Canal P
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	3,4mohms à 100A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,2V à 340µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	234 nC @ 10 V
Vgs (max.)	+5V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	15000 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	136W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	Automobile
Qualification	AEC-Q100
Type de montage	Trou traversant
Boîtier fournisseur	PG-TO220-3-1
Boîtier	TO-220-3
Numéro de produit de base	IPP120