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IPP126N10N3GXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPP126N10N3GXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP126N10N3GXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP126N10N3GXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 100V 58A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 58 A (Tc) 94W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP126N10N3GXKSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 46µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2500 pF @ 50 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 94W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 12,3mohms à 46A, 10V |
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Substituts (12)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF8010PBF | Infineon Technologies | 515 | IRF8010PBF-ND | Fr. 2.80000 | Similaire |
| CSD19534KCS | Texas Instruments | 1’021 | 296-38676-5-ND | Fr. 1.70000 | Similaire |
| DIT100N10 | Diotec Semiconductor | 790 | 4878-DIT100N10-ND | Fr. 1.99000 | Similaire |
| FDP120N10 | onsemi | 375 | FDP120N10-ND | Fr. 2.57000 | Similaire |
| FDP150N10 | onsemi | 0 | FDP150N10-ND | Fr. 2.66000 | Similaire |
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