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IPP50R199CPXKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPP50R199CPXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP50R199CPXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP50R199CPXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 550V 17A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 550 V 17 A (Tc) 139W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3-1 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP50R199CPXKSA1 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 660µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1800 pF @ 100 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 139W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 550 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3-1 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 199mohms à 9,9A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP50R190CEXKSA1 | Infineon Technologies | 82 | IPP50R190CEXKSA1-ND | Fr. 58.79000 | Recommandation fabricant |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’719 | IRF830APBF-ND | Fr. 65.09000 | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 83.99000 | Similaire |
| STP19NM50N | STMicroelectronics | 989 | 497-STP19NM50N-ND | Fr. 113.60000 | Similaire |
| STP20NK50Z | STMicroelectronics | 1’141 | 497-7515-5-ND | Fr. 128.93000 | Similaire |
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