
IPP60R165CPXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP60R165CPXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP60R165CPXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 21A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 21 A (Tc) 192W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP60R165CPXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 790µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2000 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 192W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 165mohms à 12A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1’432 | FCP190N60EOS-ND | Fr. 3.96000 | Direct |
| STP45N60DM2AG | STMicroelectronics | 0 | 497-16128-5-ND | Fr. 5.34000 | Direct |
| FCP165N60E | onsemi | 1’034 | FCP165N60E-ND | Fr. 4.05000 | Similaire |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Similaire |
| FCP190N65S3R0 | onsemi | 266 | 488-FCP190N65S3R0-ND | Fr. 2.17000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.91000 | Fr. 3.91 |
| 50 | Fr. 2.02120 | Fr. 101.06 |
| 100 | Fr. 1.83810 | Fr. 183.81 |
| 500 | Fr. 1.51748 | Fr. 758.74 |
| 1’000 | Fr. 1.41453 | Fr. 1’414.53 |
| 2’000 | Fr. 1.32801 | Fr. 2’656.02 |
| 5’000 | Fr. 1.31018 | Fr. 6’550.90 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.91000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 4.22671 |

