
IPP60R199CPXKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP60R199CPXKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP60R199CPXKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 16 A (Tc) 139W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP60R199CPXKSA1 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 660µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 43 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1520 pF @ 100 V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Dissipation de puissance (max.) 139W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 199mohms à 9,9A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP190N60E | onsemi | 1’432 | FCP190N60EOS-ND | Fr. 3.96000 | Similaire |
| FCP190N65F | onsemi | 569 | FCP190N65F-ND | Fr. 4.35000 | Similaire |
| IRF830APBF | Vishay Siliconix | 1’718 | IRF830APBF-ND | Fr. 2.41000 | Similaire |
| IRFBC30APBF | Vishay Siliconix | 732 | IRFBC30APBF-ND | Fr. 3.12000 | Similaire |
| STP18N60M2 | STMicroelectronics | 266 | 497-13971-5-ND | Fr. 2.37000 | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.48000 | Fr. 3.48 |
| 50 | Fr. 1.78140 | Fr. 89.07 |
| 100 | Fr. 1.61650 | Fr. 161.65 |
| 500 | Fr. 1.32750 | Fr. 663.75 |
| 1’000 | Fr. 1.23468 | Fr. 1’234.68 |
| 2’000 | Fr. 1.15669 | Fr. 2’313.38 |
| 5’000 | Fr. 1.12030 | Fr. 5’601.50 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 3.48000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 3.76188 |

