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IPP65R110CFDXKSA2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 448-IPP65R110CFDXKSA2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R110CFDXKSA2 |
Description | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 30 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R110CFDXKSA2 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,3mA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 118 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3240 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 277,8W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 110mohms à 12,7 A, 10V |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP099N60E | onsemi | 243 | FCP099N60E-ND | Fr. 5.17000 | Similaire |
| IXFP34N65X2 | IXYS | 5’121 | 238-IXFP34N65X2-ND | Fr. 7.59000 | Similaire |
| SIHP28N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP28N65E-GE3-ND | Fr. 2.30095 | Similaire |
| STP34NM60ND | STMicroelectronics | 621 | 497-11335-5-ND | Fr. 9.13000 | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 5.07000 | Fr. 5.07 |
| 50 | Fr. 2.68220 | Fr. 134.11 |
| 100 | Fr. 2.45160 | Fr. 245.16 |
| 500 | Fr. 2.04772 | Fr. 1’023.86 |
| 1’000 | Fr. 1.91808 | Fr. 1’918.08 |
| 2’000 | Fr. 1.85539 | Fr. 3’710.78 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 5.07000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 5.48067 |
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