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IPP65R225C7XKSA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPP65R225C7XKSA1-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPP65R225C7XKSA1 |
Description | MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 11 A (Tc) 63W (Tc) Trou traversant PG-TO220-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | IPP65R225C7XKSA1 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 240µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 996 pF @ 400 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 63W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur PG-TO220-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 225mohms à 4,8A, 10V |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP12N65X2 | IXYS | 0 | IXTP12N65X2-ND | Fr. 1.93087 | Similaire |
| SIHP15N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP15N65E-GE3-ND | Fr. 1.45159 | Similaire |
| STP20NM60FD | STMicroelectronics | 397 | 497-5395-5-ND | Fr. 6.32000 | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.59000 | Fr. 2.59 |
| 50 | Fr. 1.28720 | Fr. 64.36 |
| 100 | Fr. 1.16130 | Fr. 116.13 |
| 500 | Fr. 0.94082 | Fr. 470.41 |
| 1’000 | Fr. 0.86994 | Fr. 869.94 |
| 2’000 | Fr. 0.81037 | Fr. 1’620.74 |
| 5’000 | Fr. 0.74595 | Fr. 3’729.75 |
| 10’000 | Fr. 0.74589 | Fr. 7’458.90 |
| Prix unitaire sans TVA: | Fr. 2.59000 |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | Fr. 2.79979 |
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