IPS70R900P7SAKMA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPS70R900P7SAKMA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Infineon Technologies

En stock: 3’985

Prix unitaire : Fr. 0.82000

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IPS70R900P7SAKMA1
Numéro de produit DigiKey	IPS70R900P7SAKMA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPS70R900P7SAKMA1
Description	MOSFET N-CH 700V 6A TO251-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 700 V 6 A (Tc) 30,5W (Tc) Trou traversant PG-TO251-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPS70R900P7SAKMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 60µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 6.8 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ P7	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 211 pF @ 400 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 30,5W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 700 V	Boîtier fournisseur PG-TO251-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Tc)	Boîtier TO-251-3 broches courtes, IPAK, TO-251AA
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPS70R900
Rds On (max.) à Id, Vgs 900mohms à 1,1A, 10V