Name: IPT013N08NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT013N08NM5LFATMA1TR-ND
Price: 6.89678 CHF
Availability: InStock

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IPT013N08NM5LFATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT013N08NM5LFATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT013N08NM5LFATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT013N08NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT013N08NM5LFATMA1
Description	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 333A (Tc) 278W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT013N08NM5LFATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,1V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 158 nC @ 10 V
Série OptiMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 40 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 278W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 333A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPT013N
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,3mohms à 150A, 10V