Name: IPT017N10NM5LF2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND
Price: 5.56715 CHF
Availability: InStock

Canal N 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1

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IPT017N10NM5LF2ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT017N10NM5LF2ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT017N10NM5LF2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Description	IPT017N10NM5LF2ATMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 32A (Ta), 321A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT017N10NM5LF2ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,6mohms à 150A, 15V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,9V à 280µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 206 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 17000 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 32A (Ta), 321A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V, 15V	Boîtier 8-PowerSFN