Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 5.31852 CHF
Availability: InStock

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IPT039N15N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT039N15N5ATMA1
Description	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT039N15N5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 50 A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,6V à 257µA
Série OptiMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 98 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7700 pF @ 75 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier 8-PowerSFN

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 4’003

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2’000	Fr. 1.78060	Fr. 3’561.20

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 4.92000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 5.31852

IPT039N15N5ATMA1