Name: IPT039N15N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND
Price: 6.20494 CHF
Availability: InStock

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IPT039N15N5ATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT039N15N5ATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT039N15N5ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT039N15N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT039N15N5ATMA1
Description	OPTIMOS 5 POWER MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	29 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 150 V 21A (Ta), 190A (Tc) 3,8W (Ta), 319W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT039N15N5ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 3,9mohms à 50 A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 4,6V à 257µA
Série OptiMOS™	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 98 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7700 pF @ 75 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 319W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 150 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 21A (Ta), 190A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 8V, 10V	Boîtier 8-PowerSFN

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 3’898

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
2’000	Fr. 2.03729	Fr. 4’074.58
4’000	Fr. 1.93326	Fr. 7’733.04

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 5.74000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 6.20494

IPT039N15N5ATMA1