Name: IPT60R099CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND
Price: 3.3511 CHF
Availability: InStock

Nouveau produit

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPT60R099CM8XTMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT60R099CM8XTMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT60R099CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT60R099CM8XTMA1
Description	IPT60R099CM8XTMA1
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	20 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 30 A (Tc) 186W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-2
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	CoolMOS™
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	30 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	99mohms à 10,1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4,7V à 260µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	1330 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	186W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-2
Boîtier	8-PowerSFN