Name: IPW60R160C6FKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW60R160C6FKSA1-ND
Price: 4.90774 CHF
Availability: InStock

Canal N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1

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IPW60R160C6FKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW60R160C6FKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW60R160C6FKSA1
Description	MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 23,8 A (Tc) 176W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW60R160C6FKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 750µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 75 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1660 pF @ 100 V
Statut du composant Date de dernière disponibilité	Dissipation de puissance (max.) 176W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 600 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3-1
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23,8 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPW60R160
Rds On (max.) à Id, Vgs 160mohms à 11,3A, 10V

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Substituts (13)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IPW60R120P7XKSA1	Infineon Technologies	0	448-IPW60R120P7XKSA1-ND	Fr. 1.78321	Recommandation fabricant
IXFH22N60P3	IXYS	705	IXFH22N60P3-ND	Fr. 7.03000	Direct
APT34M60B	Microchip Technology	0	APT34M60B-ND	Fr. 8.94300	Similaire
FCH165N60E	onsemi	93	FCH165N60EOS-ND	Fr. 5.68000	Similaire
FCH170N60	onsemi	182	FCH170N60-ND	Fr. 5.14000	Similaire

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Date de dernière disponibilité : 30/09/2026

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Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.54000	Fr. 4.54

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