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IPW60R170CFD7XKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IPW60R170CFD7XKSA1-ND
Fabricant
Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant
IPW60R170CFD7XKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 14A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
17 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 14 A (Tc) 75W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-21
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
IPW60R170CFD7XKSA1 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Infineon Technologies
Série
CoolMOS™ CFD7
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
14 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
170mohms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 300µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1199 pF @ 400 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
75W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO247-3-21
Boîtier
TO-247-3
Numéro de produit de base
IPW60R170
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Quantité
Tous les prix sont en CHF
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
1Fr. 3.28000Fr. 3.28
30Fr. 1.81067Fr. 54.32
120Fr. 1.48650Fr. 178.38
510Fr. 1.24863Fr. 636.80
1’020Fr. 1.16740Fr. 1’190.75
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:Fr. 3.28000
Prix unitaire avec TVA:Fr. 3.54568
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