Name: IPW65R029CFD7XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R029CFD7XKSA1-ND
Price: 13.25306 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 69 A (Tc) 305W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW65R029CFD7XKSA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPW65R029CFD7XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R029CFD7XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 69A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 69 A (Tc) 305W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R029CFD7XKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 1,79mA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 145 nC @ 10 V
Série CoolMOS™	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7149 pF @ 400 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 305W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 69 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 29mohms à 35,8A, 10V	Numéro de produit de base IPW65R029

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 12.26000	Fr. 12.26
30	Fr. 7.39900	Fr. 221.97
120	Fr. 6.33308	Fr. 759.97
510	Fr. 5.55271	Fr. 2’831.88
1’020	Fr. 5.26826	Fr. 5’373.63

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.