IPW65R110CFDFKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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IHW15N120R3FKSA1
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

IPW65R110CFDFKSA1

Numéro de produit DigiKey
448-IPW65R110CFDFKSA1-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
IPW65R110CFDFKSA1
Description
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Référence client
Description détaillée
Canal N 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3-1
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Série
Conditionnement
Tube
Statut du composant
Obsolète
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
110mohms à 12,7 A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
4,5V à 1,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
3240 pF @ 100 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
277,8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Trou traversant
Boîtier fournisseur
PG-TO247-3-1
Boîtier
Numéro de produit de base
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Obsolète
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