IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies | FET, MOSFET simples

IPW65R125C7XKSA1 est obsolète et n'est plus fabriqué.

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Recommandation fabricant

Infineon Technologies

En stock: 198

Prix unitaire : Fr. 5.60000

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IPW65R125C7XKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW65R125C7XKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R125C7XKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 18 A (Tc) 101W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R125C7XKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 440µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 35 nC @ 10 V
Série CoolMOS™ C7	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Tube	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1670 pF @ 400 V
Statut du composant Obsolète	Dissipation de puissance (max.) 101W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Trou traversant
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)	Boîtier TO-247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base IPW65R125
Rds On (max.) à Id, Vgs 125mohms à 8,9A, 10V