Name: IPW65R150CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPW65R150CFDAFKSA1-ND
Price: 4.73478 CHF
Availability: InStock

Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3

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IPW65R150CFDAFKSA1
Numéro de produit DigiKey	IPW65R150CFDAFKSA1-ND
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPW65R150CFDAFKSA1
Description	MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	28 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Trou traversant PG-TO247-3
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPW65R150CFDAFKSA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 86 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série CoolMOS™	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2340 pF @ 100 V
Conditionnement Tube	Dissipation de puissance (max.) 195,3W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 650 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22,4 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-TO247-3
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier TO-247-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 150mohms à 9,3A, 10V	Numéro de produit de base IPW65R150
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 900µA

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Quantité

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Tube

Quantité	Prix unitaire	Prix total
1	Fr. 4.38000	Fr. 4.38
30	Fr. 2.45667	Fr. 73.70
120	Fr. 2.03350	Fr. 244.02
510	Fr. 1.72335	Fr. 878.91
1’020	Fr. 1.61015	Fr. 1’642.35
2’010	Fr. 1.52304	Fr. 3’061.31

Conditionnement standard du fabricant

Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.