Name: IQD020N10NM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQD020N10NM5SCATMA1TR-ND
Price: 6.07522 CHF
Availability: InStock

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IQD020N10NM5SCATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IQD020N10NM5SCATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IQD020N10NM5SCATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IQD020N10NM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IQD020N10NM5SCATMA1
Description	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	61 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 26A (Ta), 276A (Tc) 3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PG-WHSON-8-U02
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IQD020N10NM5SCATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,05mohms à 50A, 10V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 159µA
Série OptiMOS™ 5	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 134 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9500 pF @ 50 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 3W (Ta), 333W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 26A (Ta), 276A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-WHSON-8-U02
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerWDFN

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

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Quantité

Tous les prix sont en CHF

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de Fr. 7.00.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
5’000	Fr. 1.85273	Fr. 9’263.65

Conditionnement standard du fabricant

Prix unitaire sans TVA:	Fr. 5.62000
Prix unitaire avec TVA:	Fr. 6.07522

IQD020N10NM5SCATMA1